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Panasonic松下HG-C1400，HG-C1030，HG-C1050，HG-C1100
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產品名稱:
Panasonic松下HG-C1400，HG-C1030，HG-C1050，HG-C1100
產品型號:
產品展商:
日本松下
關注指數:659
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Panasonic松下HG-C1400，HG-C1030，HG-C1050，HG-C1100 繼承HG-C1000搭載高精度CMOS及小尺寸的特性，在此基礎上追加微晶石檢測專用方式，實現光澤表面的精準檢測 Panasonic松下HG-C1400，HG-C1030，HG-C1050，HG-C1100雙重模擬輸出可切換
配備模擬電流4mA～20mA輸出，模擬電壓0V～5V輸出，兩種輸出方式可切換，用戶按需選擇。(默認：模擬電流輸出)
Panasonic松下HG-C1400，HG-C1030，HG-C1050，HG-C1100
的詳細介紹
Panasonic松下HG-C1400
搭載CMOS，高精度&小尺寸兼顧
繼承HG-C1000搭載高精度CMOS及小尺寸的特性，在此基礎上追加微晶石檢測專用方式，實現光澤表面的精準檢測。
雙重模擬輸出可切換
配備模擬電流4mA～20mA輸出，模擬電壓0V～5V輸出，兩種輸出方式可切換，用戶按需選擇。(默認：模擬電流輸出)
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種類
|
測量中心距離200mm型
|
測量中心距離400mm型
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型
號
|
NPN
輸出
|
HG-C1200
|
HG-C1400
|
PNP
輸出
|
HG-C1200-P
|
HG-C1400-P
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符合規則
|
EMC適合指令、FDA規則
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測量中心距離
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200mm
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400mm
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測量范圍
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±80mm
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±200mm
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重復精度
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200μm
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300μm(測量距離200～400mm)
800μm(測量距離400～600mm)
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直線性
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±0.2%F.S.
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±0.2%F.S.(測量距離200～400mm)
±0.3%F.S.(測量距離400～600mm)
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溫度特性
|
0.03% F.S./℃
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光源
|
紅色半導體激光 2級[JIS/IEC/GB/FDA(注2)]
*大輸出：1mW、投光波峰波長：655nm
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光束直徑
(注3)
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約?300μm
|
約?500μm
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電源電壓
|
12～24V DC±10% 脈動P-P10%以下
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消耗電流(注4)
|
40mA以下(電源電壓24V DC時)、65mA以下(電源電壓12V DC時)
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控制輸出
|
<NPN輸出型>
NPN開路集電極晶體管
? *大流入電流：50mA
?外加電壓：30V DC以下(控制輸出-0V之間)
? 剩余電壓：1.5V以下(流入電流50mA時)
? 漏電流：0.1mA以下
<PNP輸出型>
PNP開路集電極晶體管
? *大流入電流：50mA
? 外加電壓：30V DC以下(控制輸出-+V之間)
? 剩余電壓：1.5V以下(流出電流50mA時)
? 漏電流：0.1mA以下
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|
輸出動作
|
入光時ON/非入光時ON 可切換
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|
短路保護
|
配備(自動恢復)
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模擬輸出
|
模擬電壓輸出
|
?輸出范圍：0～5V(報警時：+5.2V)
?輸出阻抗：100Ω
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模擬電流輸出(注5)
|
?輸出范圍：4～20mA(報警時：0mA)
?輸出阻抗：300Ω
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反應時間
|
1.5ms／5ms／10ms 可切換
|
|
外部輸入
|
〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效：+8～+V DC或開路
有效：0～+1.2V DC
?輸入阻抗：約10kΩ
<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效：0～+0.6V DC或開路
有效：+4～+V DC
? 輸入阻抗：約10kΩ
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|
污損度
|
2
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|
使用標高
|
2,000m以下
|
耐
環
境
性
|
保護構造
|
IP67(IEC)
|
使用環境
溫度
|
-10～+45℃(注意不可結露、結冰)、儲存時：-20～+60℃
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使用環境
濕度
|
35%RH～85%RH、儲存時：35%RH～85%RH
|
使用環境
照度
|
白熾燈：受光面照度3,000 lx以下
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耐振動
|
耐久10～55Hz(周期1分鐘) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時
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耐沖擊
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耐久500m/s2(約50G) XYZ各方向3次
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電纜
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0.2mm2 5芯復合電纜，長2m
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延長電纜
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0.3mm2以上電纜 *多延長至全長10m
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材質
|
本體外殼：壓鑄鋁 前罩：丙烯基
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重量
|
本體重量：約35g(不含電纜)，約85g(含電纜)
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|
(注1):
|
未指定測量條件時，使用條件如下：電源電壓：24V DC 環境溫度：+20℃ 響應時間：10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體：白色陶瓷。
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|
(注2):
|
根據FDA規則中Laser Notice No.50規定，并以FDA為準。
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|
(注3):
|
測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區域外有漏光，并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射，測定結果可能會受到影響。
|
|
(注4):
|
從2016年6月生產的產品開始進行規格變更。
2016年5月前生產的產品： 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
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(注5):
|
從2016年6月生產的產品開始追加了模擬電流輸出功能。
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|
種類
|
測量中心距離30mm型
|
測量中心距離50mm型
|
測量中心距離100mm型
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型
號
|
NPN
輸出
|
HG-C1030
|
HG-C1050
|
HG-C1100
|
PNP
輸出
|
HG-C1030-P
|
HG-C1050-P
|
HG-C1100-P
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符合規則
|
EMC適合指令、FDA規則
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測量中心距離
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30mm
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50mm
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100mm
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測量范圍
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±5mm
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±15mm
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±35mm
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重復精度
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10μm
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30μm
|
70μm
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直線性
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±0.1% F.S.
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溫度特性
|
0.03% F.S./℃
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光源
|
紅色半導體激光 2級(JIS/IEC/GB)/Ⅱ級(FDA)(注2)
*大輸出：1mW、投光波峰波長：655nm
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光束直徑
（注3）
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約?50μm
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約?70μm
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約?120μm
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電源電壓
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12～24V DC±10% 脈動P-P10%以下
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消耗電流（注4）
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40mA以下（電源電壓24V DC時）65mA以下（電源電壓12V DC時）
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控制輸出
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〈NPN輸出型〉
NPN開路集電極晶體管
? *大流入電流：50mA
? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出-0V之間）
? 剩余電壓：1.5V以下（流入電流50mA時）
? 漏電流：0.1mA以下
〈PNP輸出型〉
PNP開路集電極晶體管
? *大源電流：50mA
? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出-＋V之間）
? 剩余電壓：1.5V以下（流出電流50mA時）
? 漏電流：0.1mA以下
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輸出動作
|
入光時ON/非入光時ON 可切換
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短路保護
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配備(自動恢復)
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模擬輸出
|
模擬電壓輸出
|
?輸出范圍：0～5V(報警時：+5.2V)
?輸出阻抗：100Ω
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模擬電流輸出(注5)
|
?輸出范圍：4～20mA(報警時：0mA)
?輸出阻抗：300Ω
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反應時間
|
1.5ms／5ms／10ms 可切換
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外部輸入
|
〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效：＋8～＋V DC或開路
有效：0～＋1.2V DC
?輸入阻抗：約10kΩ
<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效：0～＋0.6V DC或開路
有效：＋4～＋V DC
? 輸入阻抗：約10kΩ
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污損度
|
2
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|
使用標高
|
2,000m以下
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|
耐環境性
|
保護構造
|
IP67(IEC)
|
使用環境
溫度
|
－10～＋45℃（注意不可結露、結冰）、存儲時20～＋60℃
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使用環境
濕度
|
35%RH～85%RH，存儲時：35%RH～85%RH
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使用環境
照度
|
白熾燈：受光面照度3,000 lx以下
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電纜
|
0.2mm2 5芯復合電纜，長2m
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材質
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本體外殼：壓鑄鋁 前罩：丙烯基
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|
重量
|
本體重量：約35g(不含電纜)，約85g(含電纜)
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|
(注1):
|
未指定測量條件時，使用條件如下：電源電壓：24V DC 環境溫度：+20℃ 響應時間：10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體：白色陶瓷。
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|
(注2):
|
根據FDA規則中Laser Notice No.50規定，并以FDA為準。
|
|
(注3):
|
測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區域外有漏光，并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射，測定結果可能會受到影響。
|
|
(注4):
|
從2016年6月生產的產品開始進行規格變更。
2016年5月前生產的產品： 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
|
|
(注5):
|
從2016年6月生產的產品開始追加了模擬電流輸出功能。
|
|
種類
|
測量中心距離50mm型
|
型
號
|
NPN
輸出
|
HG-C1050L
|
PNP
輸出
|
HG-C1050L-P
|
|
測量中心距離
|
50mm
|
|
測量范圍
|
±4mm
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|
重復精度
|
20μm
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|
直線性
|
±0.3% F.S.
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|
溫度特性
|
0.03% F.S./℃
|
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光源
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紅色半導體激光 1級(JIS/IEC/GB)
*大輸出：0.2mW、發光光束波長：655nm
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光束直徑
（注2）
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約?150μm
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受光元件
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CMOS圖形傳感器
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電源電壓
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12V～24V DC±10% 脈動P-P10%
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消耗電流
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40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
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控制輸出
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〈NPN輸出型〉
NPN開路集電極晶體管
? *大流入電流：50mA
? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出和0V之間）
? 剩余電壓：1.5V以下（流入電流50mA下）
? 漏電流：0.1mA以下
〈PNP輸出型〉
PNP開路集電極晶體管
? *大源電流：50mA
? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出和＋V之間）
? 剩余電壓：1.5V以下（流出電流50mA下）
? 漏電流：0.1mA以下
|
|
輸出動作
|
入光時ON/非入光時ON 可切換
|
|
短路保護
|
配備(自動恢復)
|
|
模擬輸出
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電壓
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?輸出范圍：0V~5V(報警時：+5.2V)
?輸出阻抗：100Ω
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電流
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?輸出范圍：4mA~20mA(報警時：0mA)
?負載阻抗：300Ω*大
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反應時間
|
1.5ms/5ms/10ms 可切換
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外部輸入
|
〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效：＋8V～＋V DC或者開放
有效：0V～＋1.2V DC
?輸入阻抗：約10kΩ
<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效：0V～＋0.6V DC或者開放
有效：＋4～＋V DC
? 輸入阻抗：約10kΩ
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保護構造
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IP67(IEC)
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污染度
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2
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使用環境溫度
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－10℃～＋45℃（注意不可結露、結冰）、存儲時：－20℃～＋60℃
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使用環境濕度
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35%RH～85%RH、存儲時：35%RH～85%RH
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使用環境照度
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白熾燈：受光面照度3,000 lx以下
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使用標高
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2,000m以下
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電纜
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0.2mm2 5芯復合電纜長2m
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材質
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本體外殼：鋁鑄件 前面蓋板：丙烯基
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重量
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約35g(不含電纜)、約85g(含電纜)
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適用規格
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符合EMC指令
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(注1):
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未指定測量條件時，使用條件如下：電源電壓：24V DC、環境溫度：+20℃、反應時間：10ms、測量中心 距離的模擬輸出值。對象物體：白色陶瓷。
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(注2):
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該值為測量中心距離上的值。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義這些值。如果定義區域外有漏光，并且 檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射，檢測結果可能會受到影響。
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|
(注3):
|
測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區域外有漏光，并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射，測定結果可能會受到影響。
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